近期，瑞士巴塞爾大學(xué)研究者表示向二硫化鉬（MoS2）半導(dǎo)體材料中加入超導(dǎo)體，能使所製成的新材料擁有與矽晶體類似的特性，因而有望取代矽基芯片。

受“摩爾定律”影響，制程工藝的提升難度極大，目前的矽基芯片達(dá)到1nm的制程工藝已經(jīng)是極限了。因此，要想繼續(xù)提升芯片的整體性能，唯一的辦法就是尋找可替代的半導(dǎo)體材料來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。注意：摩爾定律是指IC上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。

具有與石墨烯層狀結(jié)構(gòu)相似的MoS2半導(dǎo)體材料因有優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)、磁學(xué)等性能，而被認(rèn)爲(wèi)新一代的理想型芯片材料，不過(guò)它一定缺陷，如電荷依附會(huì)造成産品發(fā)熱、耗能等情況，因此幷不適合目前的需求。

爲(wèi)了解決這個(gè)問(wèn)題，瑞士巴塞爾大學(xué)研究者對(duì)二硫化鉬材料進(jìn)行分離，實(shí)現(xiàn)了每一個(gè)單獨(dú)層的厚度不超過(guò)一個(gè)分子；後用氮化硼薄層覆蓋在MoS2的兩側(cè)，同時(shí)加入一層氮化硼和一層石墨烯，在相結(jié)合之後便誕生了全新的半導(dǎo)體材料。

全新的半導(dǎo)體材料放置在二氧化矽晶片的頂部，在層層的堆積反應(yīng)性下形成了新的材料。實(shí)驗(yàn)表明，在各種惡劣環(huán)境如超低溫的狀態(tài)下，這種材料依舊可以保持很好的強(qiáng)耦合性，是半導(dǎo)體材料所具備的特性。

該實(shí)驗(yàn)的成功，也充分證實(shí)了矽晶體可被超薄半導(dǎo)體材料替代的可能性，同時(shí)也意味著摩爾定律的極限有望被攻克，對(duì)于實(shí)現(xiàn)1nm芯片工藝提供了更多的可能性，未來(lái)全球半導(dǎo)體的發(fā)展方向或?qū)⒂兴淖儭?/p>