斯坦福大學(xué)研究者發(fā)明的製造技術(shù)能生産出長度小于100納米的超薄二硫化鉬（MoS2）晶體管，爲(wèi)高性能柔性電子産品如醫(yī)療監(jiān)視器、健身跟蹤器、智能服裝及可折疊智能手機(jī)的大面積普及提供更大可能。
相對于傳統(tǒng)的矽材料和有機(jī)材料來說，二維（2D）半導(dǎo)體材料更適合用于柔性超薄電子器件的製造，這主要是因爲(wèi)2D半導(dǎo)體材料在納米尺度上仍可展現(xiàn)出優(yōu)異的電氣和機(jī)械性能。但是，目前柔性電路需要克服的是柔性材料在製造過程中會發(fā)生熔化和分解的問題。
爲(wèi)了解決上述的問題，斯坦福大學(xué)研究者開發(fā)了一種新技術(shù)，從不靈活的基本基材開始分步進(jìn)行。首先器件建立在一塊塗有玻璃的固體矽板上，然後製備一層由二硫化鉬二維半導(dǎo)體構(gòu)成的薄膜，幷鋪在納米圖案的金電極上，最後獲得了一個(gè)以前用柔性塑料基板無法達(dá)到的分辨率。注意：金電極中的金屬觸點(diǎn)有助于擴(kuò)散晶體管在工作過程中産生的熱量。
據(jù)中鎢在綫瞭解，研究者是通過化學(xué)氣相沉積法讓MoS2薄膜一層一層地生長，最後得到有三個(gè)原子厚的薄膜。這個(gè)過程需要在大于1500℃的環(huán)境下才能完成。
另外，使用剛性矽作爲(wèi)襯底也是此次高性能晶體管成功的關(guān)鍵因素。矽對部件的圖案化和成型至關(guān)重要。在完成器件的圖形化和成型後，將其浸入去離子水中使整個(gè)器件堆棧向後剝離；然後將其完全轉(zhuǎn)移到由聚醯亞胺製成的柔性基板上，最後經(jīng)一系列處理即可製造出柔性晶體管?？偟膩碚f，整個(gè)晶體管有5微米厚，包括柔性聚醯胺，大約比人的頭髮薄5倍。
