高純鎢靶材可以用于半導(dǎo)體等領(lǐng)域。在高純度鎢靶材的制備過(guò)程中，可采用電感耦合等離子質(zhì)譜法（ICP-MS）對(duì)高純鎢（W）粉的純度進(jìn)行分析。而對(duì)最終制備的高純W靶材產(chǎn)品，一般采用輝光放電質(zhì)譜法（GDMS）進(jìn)行直接分析。
高純W粉是制備高純鎢靶材的基礎(chǔ)原料。為制備高純和超純W粉，一般選用含U和Th低的仲鎢酸銨（APT）作原料，通過(guò)沉淀分離、溶劑萃取分離、離子交換分離等化學(xué)方法，去除APT中的大部分雜質(zhì)，如As、P、Si等；純化后的高純APT通過(guò)煅燒、還原等工藝過(guò)程，制備出高純W粉；制得的高純W粉可采用電子束熔煉、區(qū)域熔煉、真空脫氣處理等物理提純工藝，進(jìn)一步脫除金屬鎢中雜質(zhì)，得到更高純度的高純W材料。高純W中痕量元素的測(cè)定是評(píng)價(jià)高純W性能的重要標(biāo)準(zhǔn)。在高純W的生產(chǎn)過(guò)程中，廠房?jī)?nèi)應(yīng)保持高度清潔，以減少產(chǎn)品中的雜質(zhì)。
更多內(nèi)容請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：
http://www.tungsten.com.cn/chinese/tungsten-target.html
